我們知道,要讓XLR插座減小設備尺度,就會(huì )因散熱面積的減小而導致溫度增加，因而要設法下降功耗，或削減作業(yè)電流和電壓,以減小各個(gè)環(huán)節上的功率。
可是,插座電路為供給負功率不能減小電壓和電流,為使插座輕、薄、小型化,首要就得設法下降電路內的損耗。盡管插座電源以半導體插座的通為基本原理，從理論上說(shuō)是低損耗的?？墒?半導體插座究竟存在著(zhù)開(kāi)、關(guān)損耗，并且這種損耗與插座頻率成正比關(guān)系。
盡管插座電源里的變壓器、電抗器等磁性元件平和滑波形的電容器等都可經(jīng)過(guò)進(jìn)步開(kāi)關(guān)頻率使其小型化,但這些元件的損耗也會(huì )因而增大。元器件損耗增大會(huì )引起溫度增加,為避免這種溫升又有必要增大尺度,這又會(huì )導致可靠性下降。插座元器件中選用雙極性 晶體管制成的100kHz、用MOS-FET制成的500kHz電源，雖已實(shí)用化,但頻率有待于進(jìn)一步進(jìn)步。要進(jìn)步插座頻率，就要削減插座損耗,而要削減插座損耗，就需要有高速開(kāi)關(guān)元器件。然而,插座速度進(jìn)步后,會(huì )受電路中散布電感和電容或二極管中存儲電荷的影響而發(fā)作浪涌或噪聲。這么,不只會(huì )影響供電電路,并且還會(huì )大大下降電源電路本身的可靠性。耳機插座

為避免隨插座通領(lǐng)所發(fā)作的電壓浪涌，可選用RC或LC緩沖器，而對由二極管存儲電荷所造成的的電流浪涌可選用非晶態(tài)等磁芯制成的磁緩沖器。不過(guò)，對1MHz以上的高頻,要選用諧振電路，以使開(kāi)插座的電壓或經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)的電流呈正弦波,這么既可削減插座損耗，一起也可操控浪涌的發(fā)作。這種插座方法稱(chēng)為諧振式插座，選用這種方法不需大幅度進(jìn)步插座速度就可在理論上把插座損耗降到零,并且噪聲也小,已成為插座電源高頻化的一種首要方法。
現在，插座電源的小型化首要經(jīng)過(guò)高頻化和高密度化來(lái)實(shí)現。在高頻化技能處理了一系列順便疑問(wèn)的一起，也下降了變壓器、濾波磁性元件及電容器等元件的尺度；在進(jìn)步插座電源的高效率方面，已經(jīng)過(guò)對插座晶體管、二極管等主插座元件和鐵氧體磁芯、電解電容器等元件特性的改進(jìn)及電路的改進(jìn),下降了因高頻化而增大的損耗。其次,經(jīng)過(guò)混合IC等高密度裝置技能削減了元件數，并減小了裝置空間。Phone jack
總歸，插座電源的任何一項技能都是一種高技能，往后將經(jīng)過(guò)表而裝置技能(SMT) 進(jìn)步裝置空間系數。一起，還將經(jīng)過(guò)開(kāi)發(fā)諧振變換器等技能減小噪聲和下降開(kāi)關(guān)損耗，以不斷推出更小型、輕量和高效率的開(kāi)關(guān)電源。